Role of hydrogen in volatile behaviour of defects in SiO(2)-based electronic devices

Charge capture and emission by point defects in gate oxides of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) strongly affect reliability and performance of electronic devices. Recent advances in experimental techniques used for probing defect properties have led to new insights into t...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Proc Math Phys Eng Sci
Những tác giả chính: Wimmer, Yannick, El-Sayed, Al-Moatasem, Gös, Wolfgang, Grasser, Tibor, Shluger, Alexander L.
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: The Royal Society Publishing 2016
Những chủ đề:
Special Feature
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4950194/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27436969
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1098/rspa.2016.0009
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự