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Enhanced optoelectronic performances of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls-nanocrystalline diamond heterostructures

Field electron emission (FEE) properties of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls (hBNNWs) grown on Si have been markedly enhanced through the use of nitrogen doped nanocrystalline diamond (nNCD) films as an interlayer. The FEE properties of hBNNWs-nNCD heterostructures show a low tur...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Sci Rep
Hauptverfasser: Sankaran, Kamatchi Jothiramalingam, Hoang, Duc Quang, Kunuku, Srinivasu, Korneychuk, Svetlana, Turner, Stuart, Pobedinskas, Paulius, Drijkoningen, Sien, Van Bael, Marlies K., D’ Haen, Jan, Verbeeck, Johan, Leou, Keh-Chyang, Lin, I-Nan, Haenen, Ken
Format: Artigo
Sprache:Inglês
Veröffentlicht: Nature Publishing Group 2016
Schlagworte:
Online Zugang:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4941520/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27404130
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep29444
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