Enhanced optoelectronic performances of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls-nanocrystalline diamond heterostructures

Field electron emission (FEE) properties of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls (hBNNWs) grown on Si have been markedly enhanced through the use of nitrogen doped nanocrystalline diamond (nNCD) films as an interlayer. The FEE properties of hBNNWs-nNCD heterostructures show a low tur...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Xuất bản năm:Sci Rep
Những tác giả chính: Sankaran, Kamatchi Jothiramalingam, Hoang, Duc Quang, Kunuku, Srinivasu, Korneychuk, Svetlana, Turner, Stuart, Pobedinskas, Paulius, Drijkoningen, Sien, Van Bael, Marlies K., D’ Haen, Jan, Verbeeck, Johan, Leou, Keh-Chyang, Lin, I-Nan, Haenen, Ken
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Nature Publishing Group 2016
Những chủ đề:
Article
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4941520/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27404130
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep29444
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự