Enhanced optoelectronic performances of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls-nanocrystalline diamond heterostructures

Field electron emission (FEE) properties of vertically aligned hexagonal boron nitride nanowalls (hBNNWs) grown on Si have been markedly enhanced through the use of nitrogen doped nanocrystalline diamond (nNCD) films as an interlayer. The FEE properties of hBNNWs-nNCD heterostructures show a low tur...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Vydáno v:Sci Rep
Hlavní autoři: Sankaran, Kamatchi Jothiramalingam, Hoang, Duc Quang, Kunuku, Srinivasu, Korneychuk, Svetlana, Turner, Stuart, Pobedinskas, Paulius, Drijkoningen, Sien, Van Bael, Marlies K., D’ Haen, Jan, Verbeeck, Johan, Leou, Keh-Chyang, Lin, I-Nan, Haenen, Ken
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: Nature Publishing Group 2016
Témata:
Article
On-line přístup:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4941520/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27404130
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep29444
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky