טוען...

Corrigendum: Analysing black phosphorus transistors using an analytic Schottky barrier MOSFET model

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Nat Commun
Main Authors: Penumatcha, Ashish V., Salazar, Ramon B., Appenzeller, Joerg
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2016
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4897739/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27265156
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms11913
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!