טוען...
Corrigendum: Analysing black phosphorus transistors using an analytic Schottky barrier MOSFET model
שמור ב:
הוצא לאור ב: | Nat Commun |
---|---|
Main Authors: | , , |
פורמט: | Artigo |
שפה: | Inglês |
יצא לאור: |
Nature Publishing Group
2016
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4897739/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/27265156 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms11913 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|