تحميل...
Athermal domain-wall creep near a ferroelectric quantum critical point
Ferroelectric domain walls are typically stationary because of the presence of a pinning potential. Nevertheless, thermally activated, irreversible creep motion can occur under a moderate electric field, thereby underlying rewritable and non-volatile memory applications. Conversely, as the temperatu...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Nat Commun |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4757756/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26880041 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/ncomms10675 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|