Đang tải...
Phonon transport control by nanoarchitecture including epitaxial Ge nanodots for Si-based thermoelectric materials
Phonon transport in Si films was controlled using epitaxially-grown ultrasmall Ge nanodots (NDs) with ultrahigh density for the purpose of developing Si-based thermoelectric materials. The Si/Ge ND stacked structures, which were formed by the ultrathin SiO(2) film technique, exhibited lower thermal...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4592960/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26434678 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep14490 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|