Đang tải...
Evidence of Filamentary Switching in Oxide-based Memory Devices via Weak Programming and Retention Failure Analysis
Further progress in high-performance microelectronic devices relies on the development of novel materials and device architectures. However, the components and designs that are currently in use have reached their physical limits. Intensive research efforts, ranging from device fabrication to perform...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4555098/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26324073 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep13599 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|