Đang tải...
Epitaxial diamond-hexagonal silicon nano-ribbon growth on (001) silicon
Silicon crystallizes in the diamond-cubic phase and shows only a weak emission at 1.1 eV. Diamond-hexagonal silicon however has an indirect bandgap at 1.5 eV and has therefore potential for application in opto-electronic devices. Here we discuss a method based on advanced silicon device processing t...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Sci Rep |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , , , , , , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4523848/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26239286 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep12692 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|