تحميل...
Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells
Utilizing the growth temperature controlled epitaxy, high quality GaN/In(0.15)Ga(0.85)N multiple quantum wells designed for intersubband transition (ISBT) as novel candidates in III-nitride infrared device applications have been experimentally realized for the first time. Photo-absorption originated...
محفوظ في:
| الحاوية / القاعدة: | Sci Rep |
|---|---|
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , , , , |
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
Nature Publishing Group
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4473535/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26089133 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep11485 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|