AlGaN/GaN MISHEMTs with AlN gate dielectric grown by thermal ALD technique

Recently, AlN plasma-enhanced atomic layer deposition (ALD) passivation technique had been proposed and investigated for suppressing the dynamic on-resistance degradation behavior of high-electron-mobility transistors (HEMTs). In this paper, a novel gate dielectric and passivation technique for GaN-...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
الحاوية / القاعدة:Nanoscale Res Lett
المؤلفون الرئيسيون: Liu, Xiao-Yong, Zhao, Sheng-Xun, Zhang, Lin-Qing, Huang, Hong-Fan, Shi, Jin-Shan, Zhang, Chun-Min, Lu, Hong-Liang, Wang, Peng-Fei, Zhang, David Wei
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer US 2015
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4385223/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25852404
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0802-x
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة