Đang tải...
Fabrication and characterization of GaN-based light-emitting diodes without pre-activation of p-type GaN
We fabricated GaN-based light-emitting diodes (LEDs) without pre-activation of p-type GaN. During the fabrication process, a 100-nm-thick indium tin oxide film was served as the p-type contact layer and annealed at 500°C in N(2) ambient for 20 min to increase its transparency as well as to activate...
Đã lưu trong:
| Xuất bản năm: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| Những tác giả chính: | , , |
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer US
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4385135/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25852381 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/s11671-015-0792-8 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|