Ładuje się......
Carrier localization in In-rich InGaN/GaN multiple quantum wells for green light-emitting diodes
Carrier localization phenomena in indium-rich InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) grown on sapphire and GaN substrates were investigated. Temperature-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy, ultraviolet near-field scanning optical microscopy (NSOM), and confocal time-resolved PL (TRPL) spe...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4366764/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25792246 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep09373 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|