লোডিং...
Homogeneous crystalline FeSi(2) films of c (4 × 8) phase grown on Si (111) by reactive deposition epitaxy
The growth of iron silicides on Si (111) using reactive deposition epitaxy method was studied by scanning tunneling microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Instead of the mixture of different silicide phases, a homogeneous crystalline film of c (4 × 8) phase was formed on the Si (111)...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রকাশিত: | Nanoscale Res Lett |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | , , , , |
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Springer
2013
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4234272/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24305438 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-8-510 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|