טוען...

Interfacial reaction control and its mechanism of AlN epitaxial films grown on Si(111) substrates by pulsed laser deposition

High-quality AlN epitaxial films have been grown on Si substrates by pulsed laser deposition (PLD) by effective control of the interfacial reactions between AlN films and Si substrates. The surface morphology, crystalline quality and interfacial property of as-grown AlN/Si hetero-interfaces obtained...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
הוצא לאור ב:Sci Rep
Main Authors: Wang, Wenliang, Yang, Weijia, Liu, Zuolian, Wang, Haiyan, Wen, Lei, Li, Guoqiang
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: Nature Publishing Group 2015
נושאים:
גישה מקוונת:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4473646/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26089026
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep11480
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!