High breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs using AlGaN/GaN/AlGaN quantum-well electron-blocking layers

In this paper, we numerically study an enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) by using the AlGaN/GaN/AlGaN quantum-well (QW) electron-blocking layer (EBL) structure. This concept is based on the superior confinement of two-dimensional electron gases...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Lee, Ya-Ju, Yao, Yung-Chi, Huang, Chun-Ying, Lin, Tai-Yuan, Cheng, Li-Lien, Liu, Ching-Yun, Wang, Mei-Tan, Hwang, Jung-Min
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: Springer 2014
Những chủ đề:
Nano Express
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4148684/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25206318
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-433
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự