High breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs using AlGaN/GaN/AlGaN quantum-well electron-blocking layers

In this paper, we numerically study an enhancement of breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) by using the AlGaN/GaN/AlGaN quantum-well (QW) electron-blocking layer (EBL) structure. This concept is based on the superior confinement of two-dimensional electron gases...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Lee, Ya-Ju, Yao, Yung-Chi, Huang, Chun-Ying, Lin, Tai-Yuan, Cheng, Li-Lien, Liu, Ching-Yun, Wang, Mei-Tan, Hwang, Jung-Min
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: Springer 2014
الموضوعات:
Nano Express
الوصول للمادة أونلاين:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4148684/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25206318
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-9-433
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة