লোডিং...
Atomic Layer Deposition of a High-k Dielectric on MoS(2) Using Trimethylaluminum and Ozone
[Image: see text] We present an Al(2)O(3) dielectric layer on molybdenum disulfide (MoS(2)), deposited using atomic layer deposition (ALD) with ozone/trimethylaluminum (TMA) and water/TMA as precursors. The results of atomic force microscopy and low-energy ion scattering spectroscopy show that using...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
American
Chemical Society
2014
|
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4134179/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/25025335 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1021/am5032105 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|