تحميل...
Visualization of carrier dynamics in p(n)-type GaAs by scanning ultrafast electron microscopy
Four-dimensional scanning ultrafast electron microscopy is used to investigate doping- and carrier-concentration-dependent ultrafast carrier dynamics of the in situ cleaved single-crystalline GaAs(110) substrates. We observed marked changes in the measured time-resolved secondary electrons depending...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
National Academy of Sciences
2014
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3926039/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24469803 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.1400138111 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|