লোডিং...

Visualization of carrier dynamics in p(n)-type GaAs by scanning ultrafast electron microscopy

Four-dimensional scanning ultrafast electron microscopy is used to investigate doping- and carrier-concentration-dependent ultrafast carrier dynamics of the in situ cleaved single-crystalline GaAs(110) substrates. We observed marked changes in the measured time-resolved secondary electrons depending...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Cho, Jongweon, Hwang, Taek Yong, Zewail, Ahmed H.
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: National Academy of Sciences 2014
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3926039/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24469803
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.1400138111
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!