Alloy formation during molecular beam epitaxy growth of Si-doped InAs nanowires on GaAs[111]B

Vertically aligned InAs nanowires (NWs) doped with Si were grown self-assisted by molecular beam epitaxy on GaAs[111]B substrates covered with a thin SiO(x) layer. Using out-of-plane X-ray diffraction, the influence of Si supply on the growth process and nanostructure formation was studied. It was f...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Davydok, Anton, Rieger, Torsten, Biermanns, Andreas, Saqib, Muhammad, Grap, Thomas, Lepsa, Mihail Ion, Pietsch, Ullrich
Định dạng: Artigo
Ngôn ngữ:Inglês
Được phát hành: International Union of Crystallography 2013
Những chủ đề:
X-Ray Diffraction and Imaging
Truy cập trực tuyến:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3769066/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/24046494
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1107/S0021889813010522
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự