লোডিং...

Lattice parameter accommodation between GaAs(111) nanowires and Si(111) substrate after growth via Au-assisted molecular beam epitaxy

Using out-of-plane and in-plane X-ray diffraction techniques, we have investigated the structure at the interface between GaAs nanowires [NWs] grown by Au-assisted molecular beam epitaxy and the underlying Si(111) substrate. Comparing the diffraction pattern measured at samples grown for 5, 60, and...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Davydok, Anton, Breuer, Steffen, Biermanns, Andreas, Geelhaar, Lutz, Pietsch, Ullrich
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Springer 2012
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3329407/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/22315928
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-7-109
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!