Φορτώνει......

Crystallization to polycrystalline silicon thin film and simultaneous inactivation of electrical defects by underwater laser annealing

We propose a low-temperature laser annealing method of a underwater laser annealing (WLA) for polycrystalline silicon (poly-Si) films. We performed crystallization to poly-Si films by laser irradiation in flowing deionized-water where KrF excimer laser was used for annealing. We demonstrated that th...

Πλήρης περιγραφή

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: Machida, Emi, Horita, Masahiro, Ishikawa, Yasuaki, Uraoka, Yukiharu, Ikenoue, Hiroshi
Μορφή: Artigo
Γλώσσα:Inglês
Έκδοση: American Institute of Physics 2012
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3537686/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/23319827
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1063/1.4772513
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!