Ładuje się......
High-density carrier-accumulated and electrically stable oxide thin-film transistors from ion-gel gate dielectric
The use of indium–gallium–zinc oxide (IGZO) has paved the way for high-resolution uniform displays or integrated circuits with transparent and flexible devices. However, achieving highly reliable devices that use IGZO for low-temperature processes remains a technological challenge. We propose the us...
Zapisane w:
| Wydane w: | Sci Rep |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , , , |
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
Nature Publishing Group
2015
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC4683535/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/26677773 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1038/srep18168 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|