Đang tải...
GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
We have investigated exciton localization in binary GaN nanorods using micro- and time-resolved photoluminescence measurements. The temperature dependence of the photoluminescence has been measured, and several phonon replicas have been observed at the lower energy side of the exciton bound to basal...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2011
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3212230/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711583 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-81 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|