Yüklüyor......

Spin effects in InAs self-assembled quantum dots

We have studied the polarized resolved photoluminescence in an n-type resonant tunneling diode (RTD) of GaAs/AlGaAs which incorporates a layer of InAs self-assembled quantum dots (QDs) in the center of a GaAs quantum well (QW). We have observed that the QD circular polarization degree depends on app...

Ful tanımlama

Kaydedildi:
Detaylı Bibliyografya
Asıl Yazarlar: dos Santos, Ednilson C, Gobato, Yara Galvão, Brasil, Maria JSP, Taylor, David A, Henini, Mohamed
Materyal Türü: Artigo
Dil:Inglês
Baskı/Yayın Bilgisi: Springer 2011
Konular:
Online Erişim:https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC3211160/
https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21711647
https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-115
Etiketler: Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!