লোডিং...
Measurement and control of in-plane surface chemistry during the oxidation of H-terminated (111) Si
In-plane directional control of surface chemistry during interface formation can lead to new opportunities regarding device structures and applications. Control of this type requires techniques that can probe and hence provide feedback on the chemical reactivity of bonds not only in specific directi...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
National Academy of Sciences
2010
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2955082/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20876145 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1073/pnas.1011295107 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|