Đang tải...
Multilayers of InGaAs Nanostructures Grown on GaAs(210) Substrates
Multilayers of InGaAs nanostructures are grown on GaAs(210) by molecular beam epitaxy. With reducing the thickness of GaAs interlayer spacer, a transition from InGaAs quantum dashes to arrow-like nanostructures is observed by atomic force microscopy. Photoluminescence measurements reveal all the sam...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artigo |
| Ngôn ngữ: | Inglês |
| Được phát hành: |
Springer
2010
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ncbi.nlm.nih.gov/pmc/articles/PMC2897028/ https://ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/20676193 https://ncbi.nlm.nih.govhttp://dx.doi.org/10.1007/s11671-010-9645-7 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|