Ładuje się......
Nitrogen-Polar (000 1 ¯ ) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer
We demonstrate growing nitrogen-polar (N-polar) GaN epilayer on c-plane sapphire using a thin AlN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. We have studied the influence of the AlN buffer layer on the polarity, crystalline quality, and surface morphology of the GaN epilayer and found t...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
MDPI AG
2017-03-01
|
| Seria: | Materials |
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://www.mdpi.com/1996-1944/10/3/252 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|