Nitrogen-Polar (000 1 ¯ ) GaN Grown on c-Plane Sapphire with a High-Temperature AlN Buffer

We demonstrate growing nitrogen-polar (N-polar) GaN epilayer on c-plane sapphire using a thin AlN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. We have studied the influence of the AlN buffer layer on the polarity, crystalline quality, and surface morphology of the GaN epilayer and found t...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Jie Song, Jung Han
Médium: Artigo
Jazyk:Inglês
Vydáno: MDPI AG 2017-03-01
Edice:Materials
Témata:
MOCVD
N-polar
GaN
AlN buffer
On-line přístup:http://www.mdpi.com/1996-1944/10/3/252
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!

Podobné jednotky