লোডিং...
Interface characterization of metal-HfO2-InAs gate stacks using hard x-ray photoemission spectroscopy
MOS devices based on III-V semiconductors and thin high-k dielectric layers offer possibilities for improved transport properties. Here, we have studied the interface structure and chemical composition of realistic MOS gate stacks, consisting of a W or Pd metal film and a 6- or 12-nm-thick HfO2 laye...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
AIP Publishing LLC
2013-07-01
|
| মালা: | AIP Advances |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4817575 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|