Interface characterization of metal-HfO2-InAs gate stacks using hard x-ray photoemission spectroscopy

MOS devices based on III-V semiconductors and thin high-k dielectric layers offer possibilities for improved transport properties. Here, we have studied the interface structure and chemical composition of realistic MOS gate stacks, consisting of a W or Pd metal film and a 6- or 12-nm-thick HfO2 laye...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: O. Persson, E. Lind, E. Lundgren, J. Rubio-Zuazo, G. R. Castro, L.-E. Wernersson, A. Mikkelsen, R. Timm
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: AIP Publishing LLC 2013-07-01
سلاسل:AIP Advances
الوصول للمادة أونلاين:http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4817575
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة