Ładuje się......
Interface characterization of metal-HfO2-InAs gate stacks using hard x-ray photoemission spectroscopy
MOS devices based on III-V semiconductors and thin high-k dielectric layers offer possibilities for improved transport properties. Here, we have studied the interface structure and chemical composition of realistic MOS gate stacks, consisting of a W or Pd metal film and a 6- or 12-nm-thick HfO2 laye...
Zapisane w:
| Główni autorzy: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Artigo |
| Język: | Inglês |
| Wydane: |
AIP Publishing LLC
2013-07-01
|
| Seria: | AIP Advances |
| Dostęp online: | http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.4817575 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|