Optimization of Fluorine Plasma Treatment for Interface Improvement on HfO2/In0.53Ga0.47As MOSFETs

This paper reports significant improvements in the electrical performance of In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) by a post-gate CF4/O2 plasma treatment. The optimum condition of CF4/O2 plasma treatment has been systematically studied and found to be 30 W for 3–...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Yen-Ting Chen, Yanzhen Wang, Fei Xue, Fei Zhou, Jack C. Lee
التنسيق: Artigo
اللغة:Inglês
منشور في: MDPI AG 2012-03-01
سلاسل:Applied Sciences
الموضوعات:
InGaAs
HfO2
fluorine plasma treatment
high-k dielectrics
الوصول للمادة أونلاين:http://www.mdpi.com/2076-3417/2/1/233
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة