Optimization of Fluorine Plasma Treatment for Interface Improvement on HfO2/In0.53Ga0.47As MOSFETs

This paper reports significant improvements in the electrical performance of In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFET) by a post-gate CF4/O2 plasma treatment. The optimum condition of CF4/O2 plasma treatment has been systematically studied and found to be 30 W for 3–...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Yen-Ting Chen, Yanzhen Wang, Fei Xue, Fei Zhou, Jack C. Lee
פורמט: Artigo
שפה:Inglês
יצא לאור: MDPI AG 2012-03-01
סדרה:Applied Sciences
נושאים:
InGaAs
HfO2
fluorine plasma treatment
high-k dielectrics
גישה מקוונת:http://www.mdpi.com/2076-3417/2/1/233
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים