Compact Modeling of Surface Potential, Drain Current and Terminal Charges in Negative Capacitance Nanosheet FET including Quasi-Ballistic Transport

In this article, we propose a compact model for Negative Capacitance Nanosheet Field Effect Transistor (NC-NSFET) including quasi-ballistic transport for sub-7nm technology node. The model captures the electrical characteristics of NC-NSFET for different ferroelectric thicknesses. Further, it captur...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Amol D. Gaidhane, Girish Pahwa, Avirup Dasgupta, Amit Verma, Yogesh Singh Chauhan
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	IEEE 2020-01-01
Շարք:	IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:	Negative capacitance MFIS ferroelectric nanosheet FinFET nanowire
Առցանց հասանելիություն:	https://ieeexplore.ieee.org/document/9178797/
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!