Atomic Layer-Deposited HfAlOx-Based RRAM with Low Operating Voltage for Computing In-Memory Applications
Abstract With Moore’s law closing to its physical limit, traditional von Neumann architecture is facing a challenge. It is expected that the computing in-memory architecture-based resistive random access memory (RRAM) could be a potential candidate to overcome the von Neumann bottleneck problem of t...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
SpringerOpen
2019-02-01
|
| தொடர்: | Nanoscale Research Letters |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | http://link.springer.com/article/10.1186/s11671-019-2875-4 |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|