Artificial Synapse Emulated by Indium Tin Oxide/SiN/TaN Resistive Switching Device for Neuromorphic System
In this paper, we fabricate an ITO/SiN/TaN memristor device and analyze its electrical characteristics for a neuromorphic system. The device structure and chemical properties are investigated using transmission electron microscopy and X-ray photoelectron spectroscopy. Uniform bipolar switching is ac...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2023-09-01
|
| Շարք: | Nanomaterials |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/2079-4991/13/17/2477 |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|