কিউআর কোড

Direct Visualization of Charge Migration in Bilayer Tantalum Oxide Films by Multimodal Imaging

Abstract Inspired by biological neuromorphic computing, artificial neural networks based on crossbar arrays of bilayer tantalum oxide memristors have shown to be promising alternatives to conventional complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) architectures. In order to understand the driving me...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: Matthew Flynn‐Hepford, John Lasseter, Ivan Kravchenko, Steven Randolph, Jong Keum, Bobby G. Sumpter, Stephen Jesse, Petro Maksymovych, A. Alec Talin, Matthew J. Marinella, Philip D. Rack, Anton V. Ievlev, Olga S. Ovchinnikova
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Wiley-VCH 2024-01-01
মালা:Advanced Electronic Materials
বিষয়গুলি:
memristors
ReRAM
tantalum oxide
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://doi.org/10.1002/aelm.202300589
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

অনুরূপ উপাদানগুলি