Ferroelectric Behavior of Micro‐ to Submicron‐Scale HZO Capacitors: Impact of the Perimeter‐to‐Area Ratio

ABSTRACT The aggressive scaling of electronic devices has brought ferroelectric materials to the forefront of nanoscale research, where lateral dimensions strongly influence switching dynamics and device performance. In this context, W/ Hf0.5Zr0.5O2/ p‐Ge capacitors with top electrode sizes ranging...

Szczegółowa specyfikacja

Opis bibliograficzny

Główni autorzy:	Lucian Trupina, Stefan Neatu, Lucian Pintilie, Lucia Nicoleta Leonat, Stavros Kitsios, Stefania Skorda, Alexandros El Sachat, Polychronis Tsipas, Alexander Flasby, Laura Bégon‐Lours, Athanasios Dimoulas
Format:	Artigo
Język:	Inglês
Wydane:	Wiley-VCH 2026-07-01
Seria:	Advanced Electronic Materials
Hasła przedmiotowe:	conductive AFM edge‐dominated switching nanoscale capacitors scaling effects
Dostęp online:	https://doi.org/10.1002/aelm.202500879
Etykiety:	Dodaj etykietę Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!