Thermal Noise‐Induced Phase Transition in Multi‐Domain Hf‐Based Antiferroelectric Material: Fatigue and Endurance Performance

Abstract The deterioration of the endurance performance in the Hf‐based antiferroelectric (AFE) material is a crucial challenge in the reliability of its device applications, and it is important to identify the mechanism for further optimizations. In this work, a stochastic AFE dynamic model is prop...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Sheng Luo, Zijie Zheng, Zuopu Zhou, Xiao Gong, Gengchiau Liang
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	Wiley-VCH 2025-05-01
سلاسل:	Advanced Electronic Materials
الموضوعات:	antiferroelectric field‐effect transistor fatigue HZO antiferroelectric material memory thermal noise
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1002/aelm.202400640
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!