High Conversion-Gain Pinned-Photodiode Pump-Gate Pixels in 180-nm CMOS Process
This paper presents the design and characterization of high conversion-gain pixels in a 180-nm CMOS image sensor process. By reducing overlapping capacitance between a floating diffusion and transfer gate, output-referred pixel conversion gain as high as 118uV/eand read noise as low as 1.8erms are e...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Artigo |
| Լեզու: | Inglês |
| Հրապարակվել է: |
IEEE
2017-01-01
|
| Շարք: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8047441/ |
| Ցուցիչներ: |
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|