Enhancing Electrical and Interfacial Properties of BeO/4H‐SiC Structures with SiO2 Interlayer
Abstract Beryllium oxide (BeO) has exceptionally high thermal conductivity (330 W m−1·K−1), a large bandgap energy, and a high dielectric constant, making it an optimal dielectric for high‐power devices. However, its direct application on 4H‐SiC is hindered by interfacial carbon‐cluster formation du...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Artigo |
| Мова: | Inglês |
| Опубліковано: |
Wiley-VCH
2025-11-01
|
| Серія: | Advanced Electronic Materials |
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://doi.org/10.1002/aelm.202500469 |
| Теги: |
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|