Enhancing Electrical and Interfacial Properties of BeO/4H‐SiC Structures with SiO2 Interlayer

Abstract Beryllium oxide (BeO) has exceptionally high thermal conductivity (330 W m−1·K−1), a large bandgap energy, and a high dielectric constant, making it an optimal dielectric for high‐power devices. However, its direct application on 4H‐SiC is hindered by interfacial carbon‐cluster formation du...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ

Հիմնական հեղինակներ:	Sangoh Han, Dohwan Jung, Jonghyun Bae, Juyoung Chae, Haekyun Bong, Prakash R. Sultane, Christopher W. Bielawski, Jungwoo Oh
Ձևաչափ:	Artigo
Լեզու:	Inglês
Հրապարակվել է:	Wiley-VCH 2025-11-01
Շարք:	Advanced Electronic Materials
Խորագրեր:	atomic‐layer deposition band alignment beryllium oxide interface defect silicon carbide
Առցանց հասանելիություն:	https://doi.org/10.1002/aelm.202500469
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!