Field plate multi-finger diamond MOSFET with ampere-class current capability and a breakdown voltage of 550 V
The field plate structure is an effective technique for improving breakdown characteristics. In this work, the gate field plate (GFP) diamond MOSFET with both ampere-class current capability and high breakdown voltage is demonstrated for the first time. The maximum drain current of the fabricated de...
சேமிக்கப்பட்டது:
| முதன்மை ஆசிரியர்கள்: | , , , , , , , , |
|---|---|
| வடிவம்: | Artigo |
| மொழி: | Inglês |
| வெளியிடப்பட்டது: |
IOP Publishing
2026-01-01
|
| தொடர்: | Applied Physics Express |
| பொருள்கள்: | |
| ஆன்லைன் அணுகல்: | https://doi.org/10.35848/1882-0786/ae49df |
| குறிச்சொற்கள்: |
டாக்ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!
|