Optimization of the Field Plate Design of a 1200 V p-GaN Power High-Electron-Mobility Transistor

This study optimized the field plate (FP) design (i.e., the number and positions of FP layers) of p-GaN power high-electron-mobility transistors (HEMTs) on the basic of simulations conducted using the technology computer-aided design software of Silvaco. Devices with zero, two, and three FP layers w...

முழு விளக்கம்

சேமிக்கப்பட்டது:

நூற்பட்டியல் விவரங்கள்
முதன்மை ஆசிரியர்கள்:	Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsiang-Chun Wang, Yi-Jie Kang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Kuo-Hsiung Chu, Hao-Chung Kuo, Chih-Tien Chen, Kuo-Jen Chang
வடிவம்:	Artigo
மொழி:	Inglês
வெளியிடப்பட்டது:	MDPI AG 2022-09-01
தொடர்:	Micromachines
பொருள்கள்:	dynamic on-state resistance (R<sub>on</sub>) field plate (FP) high-temperature gate bias (HTGB) high-temperature reverse bias (HTRB) normally off operation off-state breakdown voltage
ஆன்லைன் அணுகல்:	https://www.mdpi.com/2072-666X/13/9/1554
குறிச்சொற்கள்:	குறிச்சொல்லை சேர்க்கவும் டாக்‌ஸ் இல்லை, இந்த பதிவுக்கு குறிச்சொல் சேர்க்கும் முதல் நபராக இருங்கள்!

Optimization of the Field Plate Design of a 1200 V p-GaN Power High-Electron-Mobility Transistor

ஒத்த வளங்கள்