কিউআর কোড

Ferroelectric [HfO2/ZrO2] Superlattices with Enhanced Polarization, Tailored Coercive Field, and Improved High Temperature Reliability

Abstract Modern microelectronic systems and applications demand an every increasing amount of non‐volatile memories that are fast, reliable, and consume little power. Memory concepts based on ferroelectric HfO2 like the ferroelectric field effect transistor (FeFET) and the ferroelectric random acces...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: David Lehninger, Aditya Prabhu, Ayse Sünbül, Tarek Ali, Fred Schöne, Thomas Kämpfe, Kati Biedermann, Lisa Roy, Konrad Seidel, Maximilian Lederer, Lukas M. Eng
বিন্যাস: Artigo
ভাষা:Inglês
প্রকাশিত: Wiley-VCH 2023-09-01
মালা:Advanced Physics Research
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://doi.org/10.1002/apxr.202200108
ট্যাগগুলো: ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!