Design Guidelines for Gate-Normal Hetero-Gate-Dielectric (GHG) Tunnel Field-Effect Transistors (TFETs)
A gate-normal hetero-gate-dielectric (GHG) tunnel field-effect transistor (TFET) and the guidelines for its design are proposed. The introduction of the HG structure into gate-normal TFETs improves device performance by lowering subthreshold swing (SS). It is confirmed that the SS of the proposed GH...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Artigo |
| اللغة: | Inglês |
| منشور في: |
IEEE
2020-01-01
|
| سلاسل: | IEEE Access |
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ieeexplore.ieee.org/document/9055358/ |
| الوسوم: |
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|