Investigating vertical charge plasma tunnel field effect transistors beyond semiclassical assumptions
Abstract In this paper, we examine the effects of subband quantization on the efficacy of an L-shaped gate vertical dopingless tunneling field-effect transistor. The proposed architecture leverages an intrinsic tunneling interface that is fully aligned with the gate metal, resulting in enhanced elec...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Artigo |
| ভাষা: | Inglês |
| প্রকাশিত: |
Nature Portfolio
2025-02-01
|
| মালা: | Scientific Reports |
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://doi.org/10.1038/s41598-025-88281-0 |
| ট্যাগগুলো: |
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|