Defect-impurity complex induced long-range ferromagnetism in GaN nanowires

Present work investigates the structural, electronic and magnetic properties of Gd doped wurtzite GaN nanowires (NWs) oriented along the [0001] direction in presence of intrinsic defects by employing the GGA +  U approximation. We find that Ga vacancy (V _Ga ) exhibits lower formation energy compare...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי

Principais autores:	S Assa Aravindh, Iman S Roqan
פורמט:	Artigo
שפה:	Inglês
יצא לאור:	IOP Publishing 2015-01-01
סדרה:	Materials Research Express
נושאים:	GaN nanowire density functional theory magnetism electronic structure
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1088/2053-1591/2/12/126104
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!