Electrical Characterizations of Planar Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes

In this work, a Schottky barrier diode (SBD) is fabricated and demonstrated based on the edge-defined film-fed grown (EFG) Ga₂O₃ crystal substrate. At the current stage, for high resistance un-doped Ga₂O₃ films and/or bulk substrates, the carrier concentra...

وصف كامل

التفاصيل البيبلوغرافية

المؤلفون الرئيسيون:	Shiyu Zhang, Zeng Liu, Yuanyuan Liu, Yusong Zhi, Peigang Li, Zhenping Wu, Weihua Tang
التنسيق:	Artigo
اللغة:	Inglês
منشور في:	MDPI AG 2021-03-01
سلاسل:	Micromachines
الموضوعات:	Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Schottky diode I–V C–V
الوصول للمادة أونلاين:	https://www.mdpi.com/2072-666X/12/3/259
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!